特許

J-GLOBAL ID：200903084712320332

インダクタを有する半導体装置

発明者： 杉浦 政幸
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-303085
公開番号（公開出願番号）：特開2003-109819
出願日： 2001年09月28日
公開日（公表日）： 2003年04月11日
要約：

【要約】【課題】インダクタを搭載する半導体チップと実装基板との間に設けられたバンプの高さ変動によって生じるインダクタンスの変動を抑制できるインダクタを有する半導体装置を提供する。【解決手段】半導体基板11上にポリイミド膜13を介して形成され、渦巻状に巻かれたスパイラルインダクタ(導体パターン)14と、半導体基板11上のスパイラルインダクタ14の上方に配置された誘電体基板17と、スパイラルインダクタ14と対向する誘電体基板17の面上に形成され、スパイラルインダクタ14の中心部を含み、このスパイラルインダクタ14の直径方向に延伸した開口部18Aを持つ接地配線18と、半導体基板11と誘電体基板17との間に形成されたバンプ16とを有する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に絶縁膜を介して形成され、渦巻状に巻かれた導体パターンと、前記半導体基板上の前記導体パターンの上方に配置された誘電体基板と、前記導体パターンと対向する前記誘電体基板の面上に形成され、前記導体パターンの中心部を含み、前記導体パターンの直径方向に延伸した開口部を持つ導体膜と、前記半導体基板と前記誘電体基板との間に形成されたバンプと、を具備することを特徴とするインダクタを有する半導体装置。

IPC (3件)：

H01F 17/00 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04

FI (2件)：

H01F 17/00 B ,  H01L 27/04 L

Fターム (12件)：

5E070AA01 ,  5E070AB01 ,  5E070BA11 ,  5E070BB01 ,  5E070CB02 ,  5E070CB13 ,  5E070CB18 ,  5F038AZ04 ,  5F038CA09 ,  5F038CA10 ,  5F038EZ02 ,  5F038EZ20