特許

J-GLOBAL ID：200903084712336913

電磁気障害対策部品のSパラメータ測定方法及びSパラメータ測定装置並びに電磁気障害対策部品のSパラメータ測定に使用される測定治具

発明者： 勝山 芳郎
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 真田 有
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-146542
公開番号（公開出願番号）：特開平8-015348
出願日： 1994年06月28日
公開日（公表日）： 1996年01月19日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 ネットワークアナライザで得られるSパラメータに簡単な補正演算を施すことにより、小型の測定治具を使用できるようにすること。【構成】 誘電体製基板11と導体製グランド面12とEMI対策部品2が電気的に接続される第1及び第2の導体製マイクロストリップライン13,14と、マイクロストリップライン13,14にそれぞれ電気的に接続された第1及び第2の同軸コネクタ16,17とを有する測定治具1と、同軸コネクタ16,17にそれぞれ接続された第1及び第2の同軸ケーブル3,4と、同軸ケーブル3,4がそれぞれ接続されることによりEMI対策部品2についての4つのSパラメータを測定するネットワークアナライザ5と、Sパラメータについて所定の補正演算を施して新SパラメータをEMI対策部品2のためのSパラメータとして求める新Sパラメータ演算手段6とをそなえる。

請求項（抜粋）：

誘電体製基板と、該基板の下面に形成された導体製グランド面と、該基板の上面に形成され所要の位相定数Keを持ち長さがそれぞれL1及びL2で相互にその一端部が対向するようにして設けられた第1及び第2の導体製マイクロストリップラインとをそなえるとともに、上記の第1及び第2の導体製マイクロストリップラインの他端部にそれぞれ電気的に接続された第1及び第2の同軸コネクタをそなえてなる測定治具を用意し、該測定治具における上記の第1及び第2の導体製マイクロストリップラインの対向する一端部に、数GHz程度までの周波数帯域で使用される電磁気障害対策部品の一端子と他端子とをそれぞれ電気的に接続するとともに、上記の第1及び第2の同軸コネクタに、対応する同軸コネクタの接続端面まで校正された第1及び第2の同軸ケーブルの一端部をそれぞれ接続し、更に上記の第1及び第2の同軸ケーブルの他端部をネットワークアナライザにおける第1及び第2のSパラメータ検出部品接続用コネクタに接続したあと、該ネットワークアナライザを用いて、該電磁気障害対策部品についての4つのSパラメータS11,S21,S12,S22を測定し、その後、測定された4つのSパラメータS11,S21,S12,S22について、jを虚数単位として、 S11′=S11×exp(j×2×Ke×L1) S21′=S21×exp〔j×Ke×(L1+L2)〕 S12′=S12×exp〔j×Ke×(L1+L2)〕 S22′=S22×exp(j×2×Ke×L2)なる演算を施して、この演算の結果得られた新SパラメータS11′,S21′,S12′,S22′を該電磁気障害対策部品のためのSパラメータとして求めることを特徴とする、電磁気障害対策部品のSパラメータ測定方法。