特許

J-GLOBAL ID：200903084720084907

III-V族化合物半導体の気相成長方法及び高電子移動度トランジスタの製造方法

発明者： 永井 久隆
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 松本 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-308734
公開番号（公開出願番号）：特開2000-138368
出願日： 1998年10月29日
公開日（公表日）： 2000年05月16日
要約：

【要約】【課題】高電子移動度トランジスタ用ウェハにおいて、そのキャリア供給層中のδドープ層のシートキャリア濃度のばらつきを小さくする。【解決手段】チャネル層3の上にキャリア供給層7としてAlGaAs層4を気相成長する途中で、その成長原料のうちIII 族原料の供給を一時中断し、適当な希釈用ガスの雰囲気中でドーパント原料及びV族原料のみを供給してδドープ層5を結晶成長し、その後、ドーパント原料の供給をストップし、60秒以上のインターバル時間の経過後に再度AlGaAs層6を気相成長する。

請求項（抜粋）：

加熱された基板上に、III 族原料及びV族原料を供給してIII -V族化合物半導体を気相成長する途中で、III 族原料の供給を一時中断し、ドーパント原料、V族原料及び希釈用ガスを供給してδドープ層を結晶成長し、その後、再びIII族原料及びV族原料を供給してIII -V族化合物半導体を気相成長する方法において、δドープ層成長終了直後にドーパント原料を供給せずに、ドーパントの分布を均一化させるインターバル時間を設けることを特徴とするIII -V族化合物半導体の気相成長方法。

IPC (6件)：

H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  C23C 16/30 ,  C30B 29/40 502 ,  H01L 21/205

FI (4件)：

H01L 29/80 H ,  C23C 16/30 ,  C30B 29/40 502 C ,  H01L 21/205

Fターム (38件)：

4G077AA03 ,  4G077BE45 ,  4G077BE46 ,  4G077DB08 ,  4G077DB09 ,  4G077EB10 ,  4G077EF03 ,  4K030JA07 ,  4K030JA11 ,  4K030JA20 ,  4K030LA14 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AC01 ,  5F045AC07 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AD11 ,  5F045AE25 ,  5F045AF04 ,  5F045BB08 ,  5F045BB16 ,  5F045CA07 ,  5F045DA53 ,  5F045DA58 ,  5F045EE18 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ05 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GM06 ,  5F102GM08 ,  5F102GN05 ,  5F102GQ01 ,  5F102HC01 ,  5F102HC04