特許
J-GLOBAL ID:200903084720776558
レーザ加工の制御
発明者:
,
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出願人/特許権者:
代理人 (3件):
三品 岩男
, 大関 光弘
, 西村 雅子
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-537486
公開番号(公開出願番号):特表2004-512690
出願日: 2001年10月26日
公開日(公表日): 2004年04月22日
要約:
UVレーザビームは、半導体を加工するために利用される。ビーム強度(IB)は、IBの増大につれて材料除去速度が増大(好ましくは線形)するような値の範囲内にあるように選択される。溝またはスロットのような細長い形状が、z方向のz_integerの各値について、横方向にオフセットした(O_centre)n回のスキャンで加工される。
請求項(抜粋):
レーザビームを用いて半導体材料を加工する方法であって、
強度IBのレーザビームを用いて材料に幅Sの構造が加工され、かつ、
カーフKの材料を加工するためにビームが制御される方法において、
ビームは、n回(n≧1)走査するように制御され、n>1であるとき、各連続スキャンは、先行スキャンに対して平行でかつ横方向にオフセットされ、n≧S/Kであることを特徴とする方法。
IPC (3件):
H01L21/301
, B23K26/00
, B23K26/14
FI (4件):
H01L21/78 B
, B23K26/00 H
, B23K26/00 M
, B23K26/14 A
Fターム (7件):
4E068AD00
, 4E068AE00
, 4E068AF00
, 4E068CC01
, 4E068CE02
, 4E068CG01
, 4E068DA10
引用特許:
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