特許

J-GLOBAL ID：200903084723579320

半導体発光装置

発明者： 山 本 雅 裕 ,  布 上 真 也 ,  藤 本 英 俊
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-229031
公開番号（公開出願番号）：特開2000-058911
出願日： 1998年08月13日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：

【要約】【課題】 p型のIII族窒化物に対して低抵抗のコンタクトを形成することができる透明導電膜を用いることにより、オーミックコンタクトを確保し低動作電圧の半導体発光装置を提供することを目的とする。【解決手段】 p型のIII族窒化物に対して、インジウム(In)を主とする一種以上の金属元素と、少なくとも一種のハロゲン元素と、酸素(O)と、を構成元素とする透明導電膜、または、インジウム(In)とすず(Sn)と酸素(O)とを含み、さらに、チタン(Ti)、イリジウム(Ir)、イットリウム(Y)、クロム(Cr)、亜鉛(Zn)、ジルコニウム(Zr)、ハフニウム(Hf)、タンタル(Ta)、コバルト(Co)、ビスマス(Bi)、及びマンガン(Mn)からなる群より選択された少なくとも一種類の添加元素を含有する透明導電膜を接触させる。

請求項（抜粋）：

p型のIII族窒化物層と、n型のIII族窒化物層と、前記p型のIII族窒化物層に接触して設けられ、インジウム(In)を主とする一種以上の金属元素と、少なくとも一種のハロゲン元素と、酸素(O)と、を構成元素とする透明導電膜と、を備えたことを特徴とする半導体発光装置。

Fターム (9件)：

5F041AA21 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA77 ,  5F041CA82 ,  5F041CA88