特許
J-GLOBAL ID:200903084723616810
層間絶縁膜材料並びにそれを用いた半導体装置とその製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
石田 敬 (外4名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-224119
公開番号(公開出願番号):特開2002-043306
出願日: 2000年07月25日
公開日(公表日): 2002年02月08日
要約:
【要約】【課題】 層間絶縁膜と異種材料との界面に剥離を生じさせることのない有機層間絶縁膜材料の提供と、この層間絶縁膜材料を用いて製造された高信頼性の半導体装置及びその製造方法の提供。【解決手段】 主剤である有機の架橋性絶縁膜形成材料にアリル基及びアリル基とは別の反応性官能基の両方を有するアリル化物を添加した層間絶縁膜材料とする。
請求項(抜粋):
絶縁膜を挟んで位置する上下の配線層をビアを介して接続した半導体装置における多層配線構造を形成するのに用いられる絶縁膜材料であって、主剤である有機の架橋性絶縁膜形成材料に、アリル基及びアリル基とは別の反応性官能基の両方を有するアリル化物が添加されていることを特徴とする層間絶縁膜材料。
IPC (2件):
H01L 21/312
, H01L 21/768
FI (3件):
H01L 21/312 A
, H01L 21/90 S
, H01L 21/90 Q
Fターム (66件):
5F033HH04
, 5F033HH08
, 5F033HH09
, 5F033HH11
, 5F033HH12
, 5F033HH13
, 5F033HH18
, 5F033HH19
, 5F033HH21
, 5F033HH23
, 5F033HH32
, 5F033HH33
, 5F033JJ04
, 5F033JJ08
, 5F033JJ09
, 5F033JJ11
, 5F033JJ12
, 5F033JJ13
, 5F033JJ18
, 5F033JJ19
, 5F033JJ21
, 5F033JJ23
, 5F033JJ32
, 5F033JJ33
, 5F033KK04
, 5F033KK08
, 5F033KK09
, 5F033KK11
, 5F033KK12
, 5F033KK13
, 5F033KK18
, 5F033KK19
, 5F033KK21
, 5F033KK23
, 5F033KK32
, 5F033KK33
, 5F033MM01
, 5F033MM02
, 5F033MM12
, 5F033MM13
, 5F033NN06
, 5F033NN07
, 5F033PP15
, 5F033PP27
, 5F033QQ09
, 5F033QQ13
, 5F033QQ19
, 5F033QQ27
, 5F033QQ37
, 5F033QQ48
, 5F033RR06
, 5F033RR11
, 5F033RR21
, 5F033SS01
, 5F033SS11
, 5F033SS15
, 5F033SS22
, 5F033TT04
, 5F033XX14
, 5F033XX23
, 5F058AA08
, 5F058AA10
, 5F058AC06
, 5F058AF04
, 5F058AG01
, 5F058AH02
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