特許
J-GLOBAL ID：200903084728964272
炭化珪素薄膜の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-312437
公開番号（公開出願番号）：特開平6-157190
出願日： 1992年11月20日
公開日（公表日）： 1994年06月03日
要約：
【要約】【目的】 単結晶珪素を真空槽中に保持し、単結晶珪素表面に少なくとも炭素を含む粒子を供給し、紫外領域の波長を有する光を照射しつつ単結晶基板を600°C以上に加熱することにより、珪素基板上に急峻な低欠陥ヘテロ界面を有する単結晶炭化珪素薄膜を得る。【構成】 単結晶珪素(Si)基板1を真空容器2内に設置された加熱機構3上に設置し、エレクトロンビーム蒸発源4に炭素5を置き、電子ビームにより炭素を含む粒子6を蒸発させ、Si基板1表面に前記炭素を含む粒子6を供給する。この時加熱機構3によりSi基板1は600°C以上に加熱されており、光源7から光学窓8を通して紫外領域の波長を有する光9がSi基板1表面に照射される。
請求項（抜粋）：
炭化珪素の単結晶薄膜の製造方法であって、単結晶珪素を真空槽中に保持し、前記単結晶珪素表面に少なくとも炭素を含む粒子を供給し、紫外領域の波長を有する光を照射しつつ上記単結晶基板を600°C以上に加熱することを特徴とする炭化珪素薄膜の製造方法。
IPC (4件)：
C30B 23/02
, C23C 14/06
, C30B 25/02
, C30B 29/36
