特許

J-GLOBAL ID：200903084729007956

半導体集積回路

発明者： 蒲原 史朗 ,  小川 哲生 ,  横溝 剛一
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-045259
公開番号（公開出願番号）：特開平8-241960
出願日： 1995年03月06日
公開日（公表日）： 1996年09月17日
要約：

【要約】【目的】半導体集積回路の基板ノイズによる誤動作を低減する。【構成】 基板電位の固定のための裏面電極及び、部分回路間に存在する全て若しくは所定の境界にキャリア再結合層を有する、半導体集積回路を構成する。【効果】 基板電位の固定のために裏面電極を用いれば、ボンディングワイヤを必要とせず且つ、基板電源とドレイン電源を分離することになるため、完全に基板電位を固定できる。また、半導体中を伝搬する過剰少数キャリアは、再結合層通過時に完全に消失してしまう。従って、基板を媒介とした二種類のノイズは抑制され、半導体集積回路の基板ノイズによる誤動作を低減できる。

請求項（抜粋）：

アナログ回路部分を含む半導体集積回路において、回路を構成する部分回路間の所定の境界に、金拡散もしくは電荷照射により形成したキャリア再結合層を有することを特徴とする半導体集積回路。

IPC (6件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/088 ,  H01L 27/08 331 ,  H01L 29/32

FI (5件)：

H01L 27/04 H ,  H01L 27/08 331 C ,  H01L 29/32 ,  H01L 27/04 A ,  H01L 27/08 102 D