特許

J-GLOBAL ID：200903084732236486

半導体装置の隔離膜形成方法

発明者： ヨン・ゴヌ・ジョン
出願人/特許権者： エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-242482
公開番号（公開出願番号）：特開平10-135318
出願日： 1997年09月08日
公開日（公表日）： 1998年05月22日
要約：

【要約】【課題】 素子隔離領域の幅に係わらず優れた隔離特性を有する半導体装置の隔離膜形成方法を提供することにある。【解決手段】 狭い隔離領域では、マスクを利用してその領域の幅いっぱいのリセスを形成する一方、広い幅の隔離領域には狭い幅のリセスを複数形成させ、狭い領域にリセスにのみ側壁を形成させて、それをマスクとして基板をエッチングして深い溝を形成させ、それらのリセスを絶縁材で埋め込んで隔離膜を形成する。

請求項（抜粋）：

相対的に狭い幅を有する第1隔離領域と相対的に広い幅を有する第2隔離領域とに同時に隔離膜を形成する方法において、基板上に第1絶縁層を形成する工程と、前記第1絶縁層を一度の感光膜工程で第1隔離領域に1つの第1リセスと第2隔離領域に複数個の第2リセスを形成する工程と、前記第1隔離領域のリセスの側面に側壁を形成する工程と、前記側壁を利用して第1リセスの中央に第1リセスより一層深い第3リセスを形成する工程と、前記第1、第2、第3リセスに絶縁性物質又は熱酸化膜を形成する工程と、を備えることを特徴とする半導体装置の隔離膜形成方法。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭58-048437
  
• 特開昭59-124141
  
• 特開平1-287951