特許
J-GLOBAL ID：200903084732810964

GaN系発光素子作成装置およびGaN系発光素子作成方法

発明者：
吉田 清輝

吉田 清輝 について


出願人/特許権者：
古河電気工業株式会社

古河電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-131403
公開番号（公開出願番号）：特開2001-313419
出願日： 2000年04月28日
公開日（公表日）： 2001年11月09日
要約：
【要約】【課題】 GaNPやGaNAsのように、結晶基板を高温とした状態では良質な混晶薄膜が得られない材料に対しても原料ガスの分解とマイグレーションとを促進させること。【解決手段】 GaNPやGaNAs等のGaN系発光素子をMOCVD法により、薄膜の積層構造として作成する場合、AsやPは、基板9の高温加熱では十分なマイグレーションが図れないため、基板9上にレーザ光を照射することで、ガス分解とマイグレーションを促進させ、同時に基板温度を低下させて、AsやPの脱離をも低減させる。
請求項（抜粋）：
GaN系発光素子を気相成長法により薄膜の積層構造として作成するGaN系発光素子作成装置において、ガリウム(Ga)と混晶化させる原料を前記Gaに添加する際にレーザ光を薄膜形成基板上に照射するレーザ光照射手段を備えたことを特徴とするGaN系発光素子作成装置。
IPC (3件)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/323
FI (3件)：
H01L 33/00 C ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/323
Fターム (29件)：
5F041AA40 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA77 ,  5F045AA03 ,  5F045AA05 ,  5F045AA08 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045CA09 ,  5F045EH13 ,  5F045EK03 ,  5F045EK17 ,  5F045EK19 ,  5F073AA55 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073DA05 ,  5F073EA29
引用特許：
審査官引用 (3件)
  • 特開昭63-188932
  • 特開平1-215014
  • 特開平2-018926

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