特許

J-GLOBAL ID：200903084738029776

多層金属構造の製造中におけるポリイミド皮膜のパターン形成方法

発明者： クリシュナ・ガンディー・サチデーヴ ,  ブライアン・ヘンリー・デシレッツ ,  ジョン・カート・フォスター ,  キャスリーン・カレン・マッコーマク
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
代理人 (1件)： 合田 潔 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-196653
公開番号（公開出願番号）：特開平6-097128
出願日： 1993年06月23日
公開日（公表日）： 1994年04月08日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 本発明の目的は、薄膜多層金属構造の製造中に、ポリイミド下層を通してパターンを転写する方法を提供することにある。【構成】 本発明の方法は、基板22上に完全に硬化した厚いポリイミド層20を形成する工程を有する。このポリイミド下層の上に、感光性のシリコン含有重合体28を塗布する。次に、レジスト層を通して露光し現像することにより、レジスト・パターンを形成する。最後に、高密度異方性O2プラズマのみを使用して、エッチングによりレジスト・パターンをポリイミド下層中に転写する。

請求項（抜粋）：

薄膜多層金属構造の製造中に、ポリイミド層にパターンを転写する方法において、a)基板上に硬化させた厚いポリイミド層を形成する工程と、b)上記ポリイミド層の上に感光性シリコン含有重合体の薄いレジスト層を塗布する工程と、c)上記レジスト層に所定のレジスト・パターンを形成する工程と、d)高密度異方性O2プラズマのみを使用して上記ポリイミド層に上記レジスト・パターンのエッチングをする工程とを含む方法。

IPC (3件)：

H01L 21/302 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/90

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-268427
  
• 特開平4-088174
  
• 特開昭62-185325