半導体記憶装置及び半導体集積回路装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：三好秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-015518
公開番号（公開出願番号）：特開平9-212418
出願日： 1996年01月31日
公開日（公表日）： 1997年08月15日
要約：

【要約】【課題】コストの削減を可能とし、かつ基板上の実装点数の削減を可能とした半導体記憶装置を提供する。【解決手段】データを記憶するメモリ領域を有し、アクセス時に前記メモリ領域中のデータを読み出す半導体記憶装置において、前記メモリ領域は、同一シリコン基板上に形成され且つ異なるアクセスタイムを持つ複数の領域で構成した。

請求項（抜粋）：

データを記憶するメモリ領域を有し、アクセス時に前記メモリ領域中のデータを読み出す半導体記憶装置において、前記メモリ領域は、同一シリコン基板上に形成され且つ異なるアクセスタイムを持つ複数の領域で構成したことを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (2件)：

G06F 12/06 522 , G11C 7/00 311

FI (2件)：

G06F 12/06 522 A , G11C 7/00 311 A

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