特許
J-GLOBAL ID：200903084745050179

半導体装置およびその製造方法、ならびに半導体装置に用いられる接着シート

発明者：
川上 広幸

川上 広幸 について

, 
畠山 恵一

畠山 恵一 について


出願人/特許権者：
日立化成工業株式会社

日立化成工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-191939
公開番号（公開出願番号）：特開2005-026547
出願日： 2003年07月04日
公開日（公表日）： 2005年01月27日
要約：
【課題】ダイシング工程ではダイシングテープとして作用し、半導体素子と支持部材との接合工程では接続信頼性に優れ、また、半導体素子搭載用支持部材に熱膨張係数の差が大きい半導体素子を実装する場合に要求される耐熱性および耐湿性を有し、かつダイシング時のチッピングを低減できる接着シートの製造方法を提供する。【解決手段】半導体素子と、該半導体素子の底面に接し、該底面と同じ面積を有する接着剤層と、該接着剤層を介して半導体素子が接着される被着体とを備えた半導体装置であって、前記接着剤層は熱硬化性を有する接着剤層であり、前記半導体素子の厚みをW(μm)、前記接着剤層の厚みをA(μm)、熱硬化後の25°Cにおける貯蔵弾性率をE(GPa)としたとき、W×E/A=Qで表されるQの値が0.5〜80である半導体装置およびその製造方法、ならびに半導体装置に用いられる接着シート。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
半導体素子と、該半導体素子の底面に接し、該底面と同じ面積を有する接着剤層と、該接着剤層を介して半導体素子が接着される被着体とを備えた半導体装置であって、 前記接着剤層は熱硬化性を有する接着剤層であり、 前記半導体素子の厚みをW(μm)、前記接着剤層の厚みをA(μm)、接着剤層の熱硬化後の25°Cにおける貯蔵弾性率をE(GPa)としたとき、W×E/A=Qで表されるQの値が0.5〜80である半導体装置。
IPC (8件)：
H01L21/301 ,  C09J4/00 ,  C09J7/02 ,  C09J133/00 ,  C09J163/00 ,  C09J179/08 ,  C09J201/00 ,  H01L21/52
FI (9件)：
H01L21/78 M ,  C09J4/00 ,  C09J7/02 Z ,  C09J133/00 ,  C09J163/00 ,  C09J179/08 Z ,  C09J201/00 ,  H01L21/52 E ,  H01L21/78 Q
Fターム (46件)：
4J004AA01 ,  4J004AA02 ,  4J004AA10 ,  4J004AA11 ,  4J004AA12 ,  4J004AA13 ,  4J004AA14 ,  4J004AA15 ,  4J004AA16 ,  4J004AB07 ,  4J004CA03 ,  4J004CA04 ,  4J004CA05 ,  4J004CA06 ,  4J004CC02 ,  4J004FA05 ,  4J004FA08 ,  4J040DE021 ,  4J040EB051 ,  4J040EB111 ,  4J040EB131 ,  4J040EC231 ,  4J040ED001 ,  4J040EE061 ,  4J040EF001 ,  4J040EG001 ,  4J040EJ011 ,  4J040EJ031 ,  4J040EJ041 ,  4J040EK001 ,  4J040FA001 ,  4J040FA011 ,  4J040FA131 ,  4J040FA141 ,  4J040FA171 ,  4J040FA201 ,  4J040FA221 ,  4J040FA291 ,  4J040GA29 ,  4J040JA09 ,  4J040JB08 ,  4J040KA16 ,  4J040LA06 ,  4J040NA20 ,  5F047BA23 ,  5F047BB19
引用特許：
審査官引用 (1件)

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