特許

J-GLOBAL ID：200903084745256605

有機薄膜トランジスタおよびその製造方法

発明者： 平井 桂 ,  片倉 利恵 ,  福田 光弘 ,  北 弘志
出願人/特許権者： コニカミノルタホールディングス株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-050821
公開番号（公開出願番号）：特開2004-260057
出願日： 2003年02月27日
公開日（公表日）： 2004年09月16日
要約：

【課題】有機半導体材料への変換温度を低減させた縮合多環芳香族化合物前駆体を用い、基材として汎用樹脂フィルムを用いて、生産性よく、移動度が高い縮合多環芳香族化合物からなる有機半導体薄膜を形成する有機薄膜トランジスタの製造方法を得ることにある。【解決手段】プロトネートにより脱離しうる基を少なくともひとつ有する縮合多環芳香族化合物の前駆体を含有する層およびこれに接する酸発生源を形成し、加熱により前記縮合多環芳香族化合物の前駆体含有層を半導体層に変換することを特徴とする有機薄膜トランジスタの製造方法。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

プロトネートにより脱離しうる基を少なくともひとつ有する縮合多環芳香族化合物の前駆体を含有する層およびこれに接する酸発生源を形成し、加熱により前記縮合多環芳香族化合物の前駆体含有層を半導体層に変換することを特徴とする有機薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (2件)：

H01L29/786 ,  H01L51/00

FI (2件)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/28

Fターム (33件)：

5F110AA01 ,  5F110AA30 ,  5F110CC01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD05 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF23 ,  5F110FF24 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG05 ,  5F110GG24 ,  5F110GG28 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK07 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33