耐腐食性ウェーハプロセス装置およびその作製方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊藤信和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-320939
公開番号（公開出願番号）：特開2008-016795
出願日： 2006年11月29日
公開日（公表日）： 2008年01月24日
要約：

【課題】半導体プロセスで使用される腐食性ガスを含む雰囲気に適合した構造部品を備えたウェーハプロセス装置を提供する。【解決手段】電気接合部、ガス供給チャンネル、凹部、凸部、メサ(台形突起)、リフトピン穴等の貫通孔、ネジ切り孔、めくら孔等が耐食的に結合されており、結合部が優れた化学的耐性を有する結合剤、充填剤を用いた特殊な構造を有すると共に、最適化された熱膨張係数、すなわち接合部の熱膨張係数がベース基材、電極および被覆層の熱膨張係数に近似的に一致する熱膨張係数を有することを特徴とするウェーハプロセス装置。一つの実施形態における充填剤にはガラスセラミック材料を含む組成物が使用されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

プロセスチャンバー内で使用されるプロセス装置にあって: ある熱膨張係数を有するウェーハを担持するためのベース基材と: 前記ベース基材の少なくとも一つの表面に埋設又は配置された電極にあって、前記電極が抵抗加熱電極、プラズマ発生電極、静電チャック電極、電子ビーム電極の何れかから選択され、前記電極の熱膨張係数が前記ベース基材の熱膨張係数の0.75から1.25倍である少なくとも一つの電極と: 導線、つまみ(タブ)、挿入部品(インサート)、貫通又は貫入孔の群から選択される少なくとも一つの機能部材において、前記少なくとも一つの機能部材が前記ウェーハプロセス装置にある間隙をおいて貫通又は貫入し隙間を形成する少なくとも一つの機能部材と: 前記ウェーハプロセス装置の前記間隙を封止するための充填材にあって、前記充填材のエッチング速度が、前記装置が25°Cから600°Cの温度範囲の運転環境に曝された際に1000オングストローム毎分(Å/分)未満であり、前記運転環境がハロゲン族を含む環境、プラズマエッチング環境、反応性イオンエッチング環境、プラズマ浄化環境、ガス浄化環境および運転環境の何れか一つの環境である充填材と: を含むことを特徴とするプロセス装置。

IPC (3件)：

H01L 21/683 , C04B 41/87 , H01L 21/205

FI (4件)：

H01L21/68 N , C04B41/87 A , H01L21/68 R , H01L21/205

Fターム (16件)：

5F031CA02 , 5F031HA02 , 5F031HA03 , 5F031HA16 , 5F031HA17 , 5F031HA37 , 5F031MA28 , 5F031MA29 , 5F031MA32 , 5F031PA06 , 5F031PA30 , 5F045AA03 , 5F045AA04 , 5F045AA08 , 5F045BB08 , 5F045EM02

引用特許：

出願人引用 (2件)

米国特許第6,066,836号
米国特許出願公開第2005/0077284号

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