特許

J-GLOBAL ID：200903084745515740

液晶表示基板とその製造方法

発明者： 田中 政博 ,  頼富 美文
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-024986
公開番号（公開出願番号）：特開平9-218426
出願日： 1996年02月13日
公開日（公表日）： 1997年08月19日
要約：

【要約】【課題】 開口率の向上、信頼性の向上。【解決手段】 前記薄膜トランジスタは、その半導体層としてアモルファスSiからなり、不純物がドープされたコンタクト層を形成しない状態でアルミニュウムからなるドレイン電極およびソース電極が形成された構成とし、前記ドレイン信号線の下層に絶縁膜を介して遮光層が該ドレイン信号線に沿い、かつゲート信号線と分離されて形成するとともに、前記薄膜トランジスタのソース電極は、保護膜の開口部に一部露呈される接続層を介して前記画素電極と接続されている。

請求項（抜粋）：

液晶を介して互いに対向配置される透明基板のうちその一方の透明基板の液晶側の面の各画素領域に、ゲート信号線に供給される走査信号によってオンされる薄膜トランジスタと、このオンされた薄膜トランジスタを介してドレイン信号線から供給される画素信号が印加される画素電極が形成されている液晶表示基板において、前記薄膜トランジスタは、その半導体層としてアモルファスSiからなり、不純物がドープされたコンタクト層を形成しない状態でアルミニュウムからなるドレイン電極およびソース電極が形成された構成とし、前記ドレイン信号線の下層に絶縁膜を介して遮光層が該ドレイン信号線に沿い、かつゲート信号線と分離されて形成するとともに、前記薄膜トランジスタのソース電極は、保護膜の開口部に一部露呈される接続層を介して前記画素電極と接続されていることを特徴とする液晶表示基板。

IPC (3件)：

G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1335 ,  H01L 29/786

FI (4件)：

G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1335 ,  H01L 29/78 617 M ,  H01L 29/78 619 B