特許
J-GLOBAL ID:200903084745630485

リン酸鉄リチウム薄膜電極の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 岩橋 文雄 ,  坂口 智康 ,  内藤 浩樹
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-155250
公開番号(公開出願番号):特開2006-331908
出願日: 2005年05月27日
公開日(公表日): 2006年12月07日
要約:
【課題】薄膜電極においては電子導電性の低い活物質でも高速充放電が可能となるが、レーザーアブレーションなどの気相法を用いるとプロセスコストが高くなるという課題があり、ゾルーゲル法を用いた場合、副成するカーボンなどを焼き飛ばすため、また遷移金属の酸化数を高く保持するために空気中での焼成が不可欠であり、このために集電体には貴金属を用いる必要があった。このため、集電体材料が高価になっていたので、本発明は安価なリン酸系活物質の薄膜電極の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】少なくともLi、FeおよびPを含む溶液を金属基板上へ塗布し、熱処理を施して薄膜電極を作製するリン酸鉄リチウム薄膜電極の製造方法において、水蒸気を5〜90体積%を含む低酸素分圧ガス雰囲気中、500°C以上800°C以下で加熱処理をほどこすことを特徴とする。【選択図】なし
請求項(抜粋):
リン酸鉄リチウム薄膜電極の製造方法において、少なくともLi、FeおよびPを含む溶液を金属基板上へ塗布する塗布工程と、熱処理を施して薄膜電極を作製する熱処理工程を有し、前記熱処理工程を水蒸気を5〜90体積%含む低酸素分圧ガス雰囲気中、500°C以上800°C以下で行うことを特徴とするリン酸鉄リチウム薄膜電極の製造方法。
IPC (2件):
H01M 4/04 ,  H01M 4/66
FI (2件):
H01M4/04 A ,  H01M4/66 A
Fターム (41件):
5H017AA03 ,  5H017AS10 ,  5H017BB04 ,  5H017BB17 ,  5H017CC01 ,  5H017EE04 ,  5H017EE05 ,  5H017HH01 ,  5H017HH07 ,  5H017HH08 ,  5H029AJ14 ,  5H029AK01 ,  5H029AL12 ,  5H029AM03 ,  5H029AM05 ,  5H029AM07 ,  5H029BJ04 ,  5H029BJ12 ,  5H029CJ02 ,  5H029CJ22 ,  5H029DJ07 ,  5H029EJ01 ,  5H029HJ07 ,  5H029HJ14 ,  5H029HJ15 ,  5H050AA19 ,  5H050BA17 ,  5H050CA01 ,  5H050CB12 ,  5H050DA02 ,  5H050DA04 ,  5H050DA06 ,  5H050DA08 ,  5H050FA02 ,  5H050GA02 ,  5H050GA22 ,  5H050GA27 ,  5H050HA02 ,  5H050HA07 ,  5H050HA14 ,  5H050HA15
引用特許:
出願人引用 (2件) 審査官引用 (1件)

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