ウェハ外観検査装置およびウェハ外観検査方法

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-325777
公開番号（公開出願番号）：特開平8-181178
出願日： 1994年12月27日
公開日（公表日）： 1996年07月12日
要約：

【要約】【目的】検査者の負担を低減した上で、ウェハ外観を精度良く検査することを可能とする。【構成】検査ステージ1によりウェハを任意に移動させつつ、ウェハに形成された複数のチップのそれぞれを顕微鏡6で拡大し、カメラ7で撮像する。画像処理装置8は、カメラ7により得られた画像信号が示す画像に基き、チップ範囲を判定するとともに、このチップ範囲よりも若干小さなラベリング検査範囲を設定する。画像処理装置8はさらに、画像信号を二値化して得た二値画像情報が示す二値画像に基き、ラベリング検査範囲内に存在する黒画素の塊としてチップの欠陥を検出するとともに、この欠陥に関して面積や外接長方形の縦横比などの所定の検査情報を検出し、所定の条件に合致する検査情報を汚れ検査情報として、またその検査情報を有する欠陥を汚れとしてそれぞれ検出する。

請求項（抜粋）：

複数のチップが形成されたウェハを任意に移動させる検査ステージと、前記ウェハの一部分の拡大像を得る顕微鏡と、この顕微鏡により得られた拡大像を撮像し、対応する電気的な画像信号を生成する撮像手段と、この撮像手段により得られた画像信号が示す画像に基き、チップの輪郭を判定するとともに、この輪郭に基いて検査範囲を設定する検査範囲設定手段と、前記画像信号を二値化して得た二値画像情報が示す二値画像に基き、前記検査範囲設定手段により設定された検査範囲内に存在する前記チップの欠陥を検出するとともに、この欠陥に関する所定の検査情報を検出し、所定の条件に合致する検査情報を汚れ検査情報として抽出するとともに、この汚れ検査情報を有する欠陥を汚れとして抽出する処理を、前記検査ステージにより前記ウェハを移動させて前記ウェハの所定部分を前記撮像手段に順次撮像させつつ行う検査手段とを具備したことを特徴とするウェハ外観検査装置。

IPC (2件)：

H01L 21/66 , G01B 11/24

引用特許：

審査官引用 (12件)

半導体の外観検査装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平2-400409 出願人：株式会社東芝
特開平4-142055
特開平2-108166

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