特許
J-GLOBAL ID:200903084749506185

半導体集積回路

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 宮田 金雄 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-064289
公開番号(公開出願番号):特開2000-260945
出願日: 1999年03月11日
公開日(公表日): 2000年09月22日
要約:
【要約】【課題】 下層の配線の位置を上層から容易に認識することができる半導体集積回路を得る。【解決手段】 互いに上下関係に配設された複数の配線層を有する半導体集積回路において、上層の配線層に、下層の配線層の配線位置を特定できる形状を有し外部から画像認識可能なダミーの配線3を設け、ダミーの配線3により下層の配線層における配線2の位置を特定できるようにした。
請求項(抜粋):
互いに上下関係に配設された複数の配線層を有する半導体集積回路において、上層の配線層に、下層の配線層の配線位置を特定できる形状を有し外部から画像認識可能なダミーの配線を設け、前記ダミーの配線により下層の配線層における配線位置を特定できるようにしたことを特徴とする半導体集積回路。
IPC (4件):
H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/66 ,  H01L 21/3205
FI (4件):
H01L 27/04 D ,  H01L 21/66 J ,  H01L 21/88 B ,  H01L 27/04 T
Fターム (16件):
4M106AA02 ,  4M106AA11 ,  4M106AB20 ,  4M106AD11 ,  4M106BA02 ,  4M106CA38 ,  5F033HH08 ,  5F033VV01 ,  5F033VV12 ,  5F033XX36 ,  5F033XX37 ,  5F038CA02 ,  5F038CD05 ,  5F038CD10 ,  5F038DT20 ,  5F038EZ20

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