特許
J-GLOBAL ID：200903084752360680
光半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-192260
公開番号（公開出願番号）：特開平5-037024
出願日： 1991年07月31日
公開日（公表日）： 1993年02月12日
要約：
【要約】【目的】 台形溝をも正確に且つ再現性良く形成することができ、あらゆる光デバイスの装着を精度良く簡便に行うことができ、且つ経時的な信頼性も得られる光半導体装置を提供すること。【構成】 半導体基板上に複数の光デバイスを装着した光半導体装置において、2枚のシリコンウェハ18a,18bをシリコン酸化膜21を介して接着して接着基板18を形成し、この接着基板18の一方のウェハ18aを選択的にエッチングして酸化膜21に達する深さの台形溝20と、各光デバイスの光軸の高さがそれぞれ一致するように溝幅が設定されたV溝19を形成し、接着基板18の台形溝20に半導体レーザ1を、V溝19に光ファイバ2及び球レンズ4等を設置したことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
2枚の半導体ウェハを絶縁膜を介して接着してなり、一方のウェハを選択的にエッチングして台形溝とV溝を形成した接着基板と、この接着基板の台形溝に設置された第1の光デバイスと、前記接着基板のV溝に設置された第2の光デバイスとを具備し、前記台形溝は前記絶縁膜に達する深さに形成され、前記V溝は第1及び第2の光デバイスの光軸の高さがそれぞれ一致するようにその溝幅が設定されたものであることを特徴とする光半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 33/00
, G02B 6/42
, H01L 21/02
, H01S 3/18
