特許
J-GLOBAL ID：200903084754168700
酸化物超電導体の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須山 佐一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-342989
公開番号（公開出願番号）：特開平5-174646
出願日： 1991年12月25日
公開日（公表日）： 1993年07月13日
要約：
【要約】【目的】 残留カーボン量の低減および超電導体の密度向上を図り、優れた超電導特性を再現性よく得ることを可能にした酸化物超電導体の製造方法、特に酸化物超電導線材の製造方法を提供する。【構成】 酸化物超電導体の各構成金属元素を含む出発原料として、カーボンを含まない化合物、例えば硝酸塩や硫酸塩等のカーボンを含有しない塩、ハロゲン化物、酸化物等を用いる。これらの出発原料を所定の組成比で混合し、原料混合粉末を調製する。この原料混合粉末に必要に応じて仮焼を施し、所望形状に成形した後に熱処理を施して、残留カーボン量が0.03重量%以下の酸化物超電導体を作製する。
請求項（抜粋）：
酸化物超電導体の各構成金属元素を含む出発原料として、カーボンを含まない化合物を用い、これらの出発原料を所定の組成比で混合して原料混合粉末を調製し、次いでこの原料混合粉末に熱処理を施して、残留カーボン量が0.03重量%以下の酸化物超電導体を作製することを特徴とする酸化物超電導体の製造方法。
IPC (4件)：
H01B 13/00 565
, C01G 1/00 ZAA
, C04B 35/00 ZAA
, H01B 12/04 ZAA
