特許

J-GLOBAL ID：200903084755750411

半導体保護装置

発明者： 田島 豊
出願人/特許権者： 日産自動車株式会社
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-220535
公開番号（公開出願番号）：特開平8-083887
出願日： 1994年09月14日
公開日（公表日）： 1996年03月26日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、通常の回路動作に悪影響を与えずに高周波サージのバイパス能力を向上させ、また半導体装置の高集積化を妨げないことを目的とする。【構成】 第1導電型基板10の主面に第2導電型ウェル11を形成し、低電位端子又は電源端子の何れか一方を第1導電型基板10に接続し何れか他方を第2導電型ウェル11に接続し、基板主面上には第1導電型基板10と第2導電型ウェル11が成すPN接合をまたぐように誘電体膜15を形成し、誘電体膜15上に被保護半導体装置の入力端子1又は出力端子の何れかに接続された電極16を形成したことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

第1導電型基板の主面に第2導電型ウェルを形成し、低電位端子又は電源端子の何れか一方を前記第1導電型基板に接続し何れか他方を前記第2導電型ウェルに接続し、前記第2導電型ウェル表面を含む前記主面上には所定の比誘電率及び厚さを有する誘電体膜を前記第1導電型基板と第2導電型ウェルとが成すPN接合をまたぐように形成し、前記誘電体膜上には被保護半導体装置の入力端子又は出力端子の何れかに接続された電極を形成してなることを特徴とする半導体保護装置。

IPC (4件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/088

FI (2件)：

H01L 27/04 H ,  H01L 27/08 102 F