特許

J-GLOBAL ID：200903084757696465

ディッシング及びエロージョンを低減させるための銅CMP方法

発明者： ビンセント シー、コーシウイス ,  グレゴリー ビー、シン
出願人/特許権者： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-147821
公開番号（公開出願番号）：特開2000-357675
出願日： 2000年05月19日
公開日（公表日）： 2000年12月26日
要約：

【要約】【課題】 ディッシング及びエロージョンを低減した銅の平坦化。【解決手段】 化学的機械研磨を用いて、ディッシング及びエロージョンが低減された、集積回路の銅配線を形成する方法が提供される。誘電体膜(10)のトレンチ(15)を満たす銅の膜(30)上に共形障壁体層(40)が形成される。化学的機械研磨を用いて、トレンチに重ならない領域から銅の膜を取除く前に、トレンチに重ならない共形障壁体の部分が取除かれる。その結果の構造は、化学的機械研磨を用いて平坦化される。

請求項（抜粋）：

化学的機械研磨を用いて銅配線を形成する方法であって、誘電体膜を有する半導体ウェハを提供し、前記誘電体膜は少なくとも1つのトレンチを含み、前記誘電体膜の上及び前記トレンチに少なくとも1つの第1の共形障壁体層を形成し、前記トレンチを第1の厚みの銅の層で満たし、前記銅の層の上に少なくとも1つの第2の共形障壁体層を形成し、化学的機械研磨を用いて、前記トレンチに実質的に重ならない領域から前記第2の共形障壁体層を取除き、化学的機械研磨を用いて、前記トレンチに実質的に重ならない領域から前記銅の層の第1の厚みを減小させ、化学的機械研磨を用いて、前記トレンチに重なる領域から第2の共形障壁体層を取除き、その結果の構造を、化学的機械研磨を用いて平坦化させることを含む方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 622 ,  B24B 37/00 ,  H01L 21/3205

FI (3件)：

H01L 21/304 622 X ,  B24B 37/00 Z ,  H01L 21/88 R