特許

J-GLOBAL ID：200903084759134383

アモルファスシリコンベース膜の堆積方法

発明者： ジェフ フェン ,  ロバート ロバートソン ,  カム ロウ
出願人/特許権者： アプライドコマツテクノロジー株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-182362
公開番号（公開出願番号）：特開平9-142821
出願日： 1996年07月11日
公開日（公表日）： 1997年06月03日
要約：

【要約】【課題】 導電性が制御され応力の低いアモルファスシリコンベースの膜を堆積する方法を提供する。【解決手段】 好ましい具体例では、プラズマ励起化学気相堆積チャンバに反応物ガス混合物を流入させることにより、導電性が正確に調整され応力の低いアモルファスシリコンベースの膜を生成する。この反応物ガス混合物は、シランと、アンモニアと、水素ガスによりキャリーされるホスフィンとを備える。ホスフィンの分圧を調整して燐含有量を変化させることにより、アモルファスシリコンベース膜のn-型導電性を変化させることができ、即ち、燐含有量を増加させれば導電性が上昇する。

請求項（抜粋）：

化学気相堆積チャンバで、抵抗率を制御したアモルファスシリコンベース膜を堆積する方法であって、電子デバイスのための基板を与えるステップと、シランと、水素と、ホスフィンと、アンモニアとを備える反応物ガス混合物を前記チャンバ内に流入させるステップとを有する方法。

IPC (5件)：

C01B 33/02 ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/50 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/205

FI (5件)：

C01B 33/02 D ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/50 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 平面表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-220399   出願人：ソニー株式会社
• 特開平4-202669
  
• 特開昭62-158874
  
• 特開昭62-166354