特許
J-GLOBAL ID：200903084759161437
誘電体結晶膜の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-033890
公開番号（公開出願番号）：特開平6-206787
出願日： 1993年01月12日
公開日（公表日）： 1994年07月26日
要約：
【要約】【目的】 配向性の誘電体結晶膜を提供する。【構成】 水熱合成により基板上に誘電体結晶膜を形成する方法において、レイノルズ数が2000以下の条件で基板上に誘電体結晶膜を形成する配向性の誘電体結晶膜の製造方法に関する。
請求項（抜粋）：
水熱合成により基板上に誘電体結晶膜を形成する方法において、レイノルズ数が2000以下の条件で基板上に誘電体結晶膜を形成することを特徴とする配向性の誘電体結晶膜の製造方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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