特許
J-GLOBAL ID：200903084789191837
化合物半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐野 静夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-311829
公開番号（公開出願番号）：特開平5-121456
出願日： 1991年10月29日
公開日（公表日）： 1993年05月18日
要約：
【要約】【目的】ソ-ス抵抗を低減し、それによって雑音特性を改善したHEMT構造の化合物半導体装置を提供する。【構成】アンド-プ半導体層2と、前記アンド-プ半導体層2上に形成され該アンド-プ半導体層2よりも電子親和力が小さく且つ不純物がド-プされたド-プ半導体層3と、前記ド-プ半導体層3上に形成されたゲ-ト電極4と、前記ド-プ半導体層3上に形成されたキャップ層5と、前記キャップ層5上にそれぞれ形成されたソ-ス電極6及びドレイン電極7と、を有する化合物半導体装置において、前記ド-プ半導体層3と前記キャップ層5との間に前記ド-プ半導体層3と同一組成・同一不純物であって前記不純物濃度が前記ド-プ半導体層3の不純物濃度よりも充分高い層9を設けた構成。
請求項（抜粋）：
アンド-プ半導体層と、前記アンド-プ半導体層上に形成され該アンド-プ半導体層よりも電子親和力が小さく且つ不純物がド-プされたド-プ半導体層と、前記ド-プ半導体層上に形成されたゲ-ト電極と、前記ド-プ半導体層上に形成されたキャップ層と、前記キャップ層上にそれぞれ形成されたソ-ス及びドレイン電極と、を有する化合物半導体装置において、前記ド-プ半導体層と前記キャップ層との間に前記ド-プ半導体層と同一組成・同一不純物であって前記不純物濃度が前記ド-プ半導体層の不純物濃度よりも充分高い層を設けたことを特徴とする化合物半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
