半導体メモリ装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井出直孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-256959
公開番号（公開出願番号）：特開平6-111561
出願日： 1992年09月25日
公開日（公表日）： 1994年04月22日
要約：

【要約】【目的】バーストアクセスによるデータ読み出しを高速に行えるようにする。【構成】バーストアクセスにより特定アドレス区間を高速にアクセスする半導体メモリ装置において、特定アドレスの最終アドレスを検出するアクセス終了検出回路を備え、次のアドレス区間を先取りして連続的にバーストアクセスを行う。

請求項（抜粋）：

データが記憶されるメモリアレイと、このメモリアレイの書込およびまたは読出を支援する周辺回路と、アドレス信号を入力し前記周辺回路のアクセス制御を行うアクセス制御回路とを備えた半導体メモリ装置において、一連のアドレス指定情報の最終アドレスを検出するアクセス終了検出回路を備え、前記アクセス制御回路は、このアスセス終了検出回路の検出出力を取込み、この検出出力につづいて次の一連のアドレス指定情報の転送を開始する手段を含むことを特徴とする半導体メモリ装置。

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭61-134989
特開平4-188490
特開昭61-227295

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