電磁界シミュレーション方法および当該シミュレーション方法の制御プログラムを記憶した記憶媒体

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：谷義一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-275989
公開番号（公開出願番号）：特開2000-105259
出願日： 1998年09月29日
公開日（公表日）： 2000年04月11日
要約：

【要約】【課題】電磁界シミュレーション方法および記憶媒体に関し、メモリ容量を節約しつつ高精度のシミュレーションを実現すること。【解決手段】 CPU9の制御により、任意のタイム・ステップにおける電磁界のEn およびHn を別のパラメータで一時的に置き換えてメモリ10に格納しておく。このとき、置き換えを複数段階に行なう毎にメモリ10に格納した値を逐次更新する。所定時間経過後、別のパラメータのE(2) とH(3) の値を読み出し、読み出された値から次のタイム・ステップにおけるEn+1 の値、Hn+1 の値を算出する。

請求項（抜粋）：

任意のタイム・ステップから所定時間経過後の電磁界の所定媒質中での時間変化をプロセッサによりシミュレートする電磁界シミュレーション方法において、前記任意のタイム・ステップにおける前記電磁界の状態を記述する第1のパラメータをメモリに格納する第1のステップと、シンプレクティック・プロパゲータを用いる陽的ルンゲ・クッタ法によって前記第1のパラメータから前記所定時間経過後の前記電磁界の状態を記述する第2のパラメータを求めるステップであって、前記第1のパラメータを別のパラメータで置き換えて前記メモリに前記別のパラメータを格納するステップであって、当該置き換えを複数段階に行なう毎に前記メモリに格納した値を逐次更新する更新ステップ、および前記更新された前記メモリ中の値を読み出し、当該読み出された値から前記第2のパラメータを算出する算出ステップを含む第2のステップとを実行することを特徴とする電磁界シミュレーション方法。

IPC (3件)：

G01R 29/08 , G06F 17/00 , G06F 17/50

FI (3件)：

G01R 29/08 Z , G06F 15/20 D , G06F 15/60 612 A

Fターム (13件)：

5B046AA07 , 5B046DA01 , 5B046GA01 , 5B046JA04 , 5B046JA10 , 5B049CC31 , 5B049DD01 , 5B049DD05 , 5B049EE03 , 5B049EE41 , 5B049FF02 , 5B049FF04 , 5B049FF09

前のページに戻る