特許

J-GLOBAL ID：200903084793146978

酸化処理方法および装置

発明者： 森 義明
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-127106
公開番号（公開出願番号）：特開2000-321793
出願日： 1999年05月07日
公開日（公表日）： 2000年11月24日
要約：

【要約】【課題】 酸化やアッシングのエネルギーを低減する。【解決手段】 水槽14の周囲に励磁コイル12を設け、水18に交流磁場を印加して水18のクラスタを細分化し、オゾン供給源24から供給されたオゾンの溶け込み量を増大させる。水槽14内のオゾン水は、噴霧ポンプ34によって噴霧ノズルヘッダ38から霧状に噴射され、シリコン基板42に接触する。シリコン基板42は、処理テーブル44に設けたヒータ部48によって水の沸点以上に加熱してある。霧状のオゾン水40は、シリコン基板42に接触するとオゾンが分解して酸素単原子を生じ、シリコン基板42の表面を酸化する。

請求項（抜粋）：

水素結合している液体のクラスタを細分化してオゾンと接触させて溶存酸素量を増大し、溶存酸素量を増大させた前記液体を微粒子化して被処理材に接触させて被処理材を酸化することを特徴とする酸化処理方法。

IPC (6件)：

G03F 7/42 ,  C02F 1/48 ,  C07C 29/74 ,  C01D 5/00 ,  C02F 1/78 ,  H01L 21/306

FI (7件)：

G03F 7/42 ,  C02F 1/48 A ,  C02F 1/48 B ,  C07C 29/74 ,  C01D 5/00 Z ,  C02F 1/78 ,  H01L 21/306 D

Fターム (36件)：

2H096AA25 ,  2H096CA01 ,  2H096HA30 ,  2H096LA03 ,  2H096LA07 ,  4D050AA01 ,  4D050BB02 ,  4D050BD03 ,  4D050CA01 ,  4D050CA07 ,  4D050CA10 ,  4D050CA11 ,  4D061DA01 ,  4D061DB06 ,  4D061DB20 ,  4D061EA01 ,  4D061EA17 ,  4D061EA18 ,  4D061EB09 ,  4D061ED03 ,  4D061ED20 ,  4D061FA01 ,  4D061FA07 ,  4D061FA20 ,  4H006AC93 ,  4H006BE20 ,  5F043CC16 ,  5F043DD06 ,  5F043DD07 ,  5F043DD08 ,  5F043DD10 ,  5F043DD30 ,  5F043EE05 ,  5F043EE07 ,  5F043EE08 ,  5F043GG10