特許
J-GLOBAL ID：200903084799404723

In2O3-SnO2前駆体ゾルの製造方法およびIn2O3-SnO2薄膜の製造方法

発明者：
福井 俊巳

福井 俊巳 について

, 
朝隈 直子

朝隈 直子 について


出願人/特許権者：
株式会社関西新技術研究所

株式会社関西新技術研究所 について


代理人 (1件)： 間宮 武雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-153019
公開番号（公開出願番号）：特開平10-324520
出願日： 1997年05月26日
公開日（公表日）： 1998年12月08日
要約：
【要約】【課題】 高濃度化が可能で成膜性および安定性に優れたIn2O3-SnO2前駆体ゾルを製造できる方法を提供する。【解決手段】 インジウムアルコキシドおよび錫アルコキシドを含む溶液を加水分解させてIn2O3-SnO2前駆体ゾルを製造する場合に、インジウムアルコキシドとしてトリ-s-ブトキシインジウムまたはトリ-t-ブトキシインジウムを用いる。
請求項（抜粋）：
インジウムアルコキシドおよび錫アルコキシドを含む溶液を加水分解させてIn2O3-SnO2前駆体ゾルを製造する方法において、前記インジウムアルコキシドとしてトリ-s-ブトキシインジウムまたはトリ-t-ブトキシインジウムを用いることを特徴とするIn2O3-SnO2前駆体ゾルの製造方法。
IPC (7件)：
C01G 19/00 ,  C03C 17/25 ,  C23C 18/12 ,  C30B 29/22 ,  H01B 5/14 ,  H01B 13/00 503 ,  C09D 1/00
FI (7件)：
C01G 19/00 A ,  C03C 17/25 ,  C23C 18/12 ,  C30B 29/22 Z ,  H01B 5/14 A ,  H01B 13/00 503 B ,  C09D 1/00
引用特許：
審査官引用 (3件)

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