特許

J-GLOBAL ID：200903084806509455

半導体集積回路装置

発明者： 酒井 克彦
出願人/特許権者： 富士通株式会社 ,  富士通ヴィエルエスアイ株式会社
代理人 (1件)： 恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-164597
公開番号（公開出願番号）：特開平7-020195
出願日： 1993年07月02日
公開日（公表日）： 1995年01月24日
要約：

【要約】【目的】若干のトランジスタ特性の異なっても使用可能にすることができる。【構成】半導体チップ100上に内部回路101、昇圧回路102、動作電源生成回路103及び特性測定回路104が形成されている。昇圧回路102は、外部電源VDDを昇圧し、その昇圧した電圧を内部電源電圧VCPとして動作電源生成回路103に出力する。動作電源生成回路103は、その内部電源電圧VCPを使用して、内部回路101を構成する半導体素子の特性に適応する動作電源を生成する。特性測定回路104は、内部回路101を構成する半導体素子とともに形成された半導体素子からなり、その半導体素子の特性を測定することによって内部回路101を構成する半導体素子の特性を測定する。特性測定回路104はその測定結果に基づいて内部回路101に適応する動作電源を選択し、動作電源生成回路103から内部回路101に出力させる。

請求項（抜粋）：

半導体チップ(100)上に内部回路(101)が形成され、その内部回路(101)の動作電源を外部電源(VDD)から受けるようにした半導体集積回路装置において、外部電源(VDD)を昇圧し、その昇圧した電圧を内部電源電圧(VCP)として出力する昇圧回路(102)と、その昇圧回路(102)の出力である内部電源電圧(VCP)を使用して、内部回路(101)を構成する半導体素子の特性に適応する動作電源を生成する動作電源生成回路(103)と、内部回路(101)を構成する半導体素子とともに形成された半導体素子からなり、その半導体素子の特性を測定することによって内部回路(101)を構成する半導体素子の特性を測定し、その内部回路(101)に適応する動作電源を選択し、前記動作電源生成回路(103)から内部回路(101)に出力させる特性測定回路(104)とを設けたことを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (4件)：

G01R 31/26 ,  G05F 3/24 ,  H03K 19/00 ,  H03L 7/18

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭63-133543
  
• 特開平4-264277
  
• 特開平2-307083