特許

J-GLOBAL ID：200903084810062210

ポジ型レジスト及びこれを用いたフォトマスクの製造方法

発明者： 逆水 登志夫 ,  新井 唯
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立化成工業株式会社
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-261324
公開番号（公開出願番号）：特開平11-102072
出願日： 1997年09月26日
公開日（公表日）： 1999年04月13日
要約：

【要約】【課題】酸化クロム上で化学増幅系ポジ型レジストのパタンが裾引き形状になる問題を解決し、高解像度のフォトマスクを高スループットで製造する方法を提供する。【解決手段】(a)酸を触媒とする反応により当該現像媒体親和性物質に変成する化合物と(b)活性化学線照射により臭化水素を生成する酸前駆体を少なくとも含むレジスト組成物を、フォトマスク基板上に塗布し、電子線等の活性化学線で照射した後、ベークを施す。この基板をアルカリ水溶液で現像してパタンを得る。

請求項（抜粋）：

光リソグラフィー用マスク基板上に、(a)酸を触媒とする反応により現像媒体親和性物質に変成する化合物と(b)活性化学線照射により臭化水素を生成する酸前駆体を少なくとも含有するポジ型レジストを塗布し熱処理した後、活性化学線を用いて当該塗膜に所定のパタンを描画し、その後当該現像液によりレジストパタンを形成することを特徴とするフォトマスクの製造方法。

IPC (3件)：

G03F 7/039 601 ,  G03F 1/08 ,  H01L 21/027

FI (4件)：

G03F 7/039 601 ,  G03F 1/08 K ,  H01L 21/30 502 R ,  H01L 21/30 502 P