特許

J-GLOBAL ID：200903084812397928

半導体装置

発明者： 井上 和彦 ,  今村 壮一 ,  越智 雅範 ,  細井 重広 ,  須賀 徹 ,  木村 隆
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-088118
公開番号（公開出願番号）：特開平7-094642
出願日： 1994年04月26日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：

【要約】【目的】 超高周波数帯において使用され、チップの雑音特性等の性能劣化が小さく、低コストで製造でき、かつ高信頼性を有するモールド樹脂封止型の半導体装置を提供すること。【構成】 異種接合を有する半導体基板上に形成された電流チャネルと、ソース領域と、ドレイン領域と、上面部面積が下面部面積より大となる断面形状のゲート電極5と、少なくとも前記電流チャネルとゲート電極5を被覆する第1の誘電体膜7とこれを取り囲む第2の誘電体膜8とから構成され、第1の誘電体膜の誘電率は第2の誘電体膜の誘電率より小さく、吸水率も第1の誘電体膜7のほうが小さい。

請求項（抜粋）：

異種接合を有する半導体基板上に形成された電流チャネルと、ソース領域と、ドレイン領域と、上面部面積が下面部面積より大となる断面形状のゲート電極と、少なくとも前記電流チャネルと前記ゲート電極を被覆する第1の誘電体膜と、該第1の誘電体膜を取り囲む第2の誘電体膜とを有し、前記第1及び第2の誘電体膜の比誘電率をそれぞれ、ε(1) ,ε(2) とする時、ε(1) < ε(2) であり、かつ前記第1の誘電体膜の吸水率は前記第2の誘電体膜の吸水率より大きい値を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (3件)：

H01L 23/30 D ,  H01L 23/30 B ,  H01L 29/80 G

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-124052
  
• 特開昭63-213372
  
• 特開昭61-237455