特許

J-GLOBAL ID：200903084813322123

半導体装置

発明者： 大高 達也 ,  高萩 茂治 ,  吉岡 修 ,  高橋 軍一 ,  村上 元 ,  御田 護
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 平田 忠雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-263034
公開番号（公開出願番号）：特開平11-102943
出願日： 1997年09月29日
公開日（公表日）： 1999年04月13日
要約：

【要約】【課題】 ワイヤボンディング性と半田ボールの信頼性とを両立できるスティッフナー付TAB-BGAの半導体装置を提供する。【解決手段】 ボンディング領域22では比較的硬質の第1接着剤層11で、それ以外の領域では比較的軟質の第2接着剤層12を介在させて絶縁性テープ5と支持基板2aとを接着する。

請求項（抜粋）：

チップ搭載領域とそのチップ搭載領域の周囲のテープ貼着領域とを備える支持基板と、該チップ搭載領域に固着されている半導体チップと、前記テープ貼着領域に接着剤層で第1の面が貼着されている絶縁性テープと、該絶縁性テープの第2の面に形成され、前記半導体チップとボンディングワイヤーを介して接続されている導体パターンと、該導体パターンに接続され、前記絶縁性テープの前記第2の面に配置されている半田ボールとを備え、前記絶縁性テープを前記テープ貼着領域に貼着する前記接着剤層は、ワイヤボンディングに適した硬度を有する第1接着剤層と、前記支持基板と前記半田ボールが接続されるプリント基板との熱膨張差に基づくストレスを吸収するのに適した硬度を有し、前記半田ボールが配置されている領域に対応して設けられている第2接着剤層によって形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 23/12 ,  H01L 21/52

FI (3件)：

H01L 21/60 311 W ,  H01L 21/52 E ,  H01L 23/12 L