アパーチャ及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-191164
公開番号（公開出願番号）：特開平11-040471
出願日： 1997年07月16日
公開日（公表日）： 1999年02月12日
要約：

【要約】【課題】アパーチャの表面にチャージアップ防止用の導電膜を形成する際、アパーチャのパターン寸法に影響を及ぼさないで、且つパーティクルの発生しにくい導電膜を形成したアパーチャ及びその製造方法を提供することである。【解決手段】プレーナ型マグネトロンスパッタ装置のホルダー2上に取り付けられたパターン有効寸法2Lを有するアパーチャ20にPt/Pd(=8:2重量比)からなるエロージョン直径2Sのリング状ターゲット1を用いて、スパッターターゲットとアパーチャの距離hとした場合h<S/2を満たす条件で導電膜を形成し、本発明のアパーチャを得る。

請求項（抜粋）：

荷電子ビームを用いた露光方法に用いられるアパーチャにおいて、チャージアップ防止用導電膜の膜厚が前記アパーチャのパターン領域の中心部が薄く、周辺部に向かって連続的に厚くなるようにしたことを特徴とするアパーチャ。

IPC (4件)：

H01L 21/027 , G03F 1/16 , G03F 7/20 504 , G03F 7/20 521

FI (4件)：

H01L 21/30 541 B , G03F 1/16 B , G03F 7/20 504 , G03F 7/20 521

前のページに戻る