特許

J-GLOBAL ID：200903084814887680

薄膜トランジスタ及びその製造方法

発明者： 寺内 正治
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-284362
公開番号（公開出願番号）：特開2001-111055
出願日： 1999年10月05日
公開日（公表日）： 2001年04月20日
要約：

【要約】【課題】 結晶Si薄膜トランジスタのLDD領域は、不純物の注入により形成されるため損傷を受ける。また、従来のLDD作成工程は、多くの不純物注入工程を含んでいるため工程が複雑になる。多結晶Siの水素化工程もコスト高の要因となる。【解決手段】 ゲート電極側面に絶縁膜で形成されるサイドウォール中に、チャネル部の導電型と反対符号の固定電荷を導入することで、サイドウォール下部の多結晶Si領域にキャリアが誘起され、抵抗を下げることで、多結晶Si膜への不純物注入無しに、実効的にLDD領域を形成する。また、サイドウォール形成用の絶縁膜を水素あるいは窒素、その両方を含む雰囲気中で形成することで、水素化工程を兼ねるという効果を有している。

請求項（抜粋）：

少なくとも表面が絶縁性物質である基板上に形成された所定形状の半導体薄膜、その上に形成されたゲート絶縁膜、その上に形成されたゲート電極、そのゲート電極の側壁部分に絶縁膜で形成されたサイドウォールを有し、前記サイドウォールの両側にソース、ドレイン領域が形成された薄膜トランジスタにおいて、前記サイドウォール中に、nチャネル薄膜トランジスタならば固定正電荷、pチャネル薄膜トランジスタならば固定負電荷を含むことを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 21/318 B ,  H01L 29/78 617 J ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 616 A

Fターム (40件)：

2H092JA46 ,  2H092KA04 ,  2H092KA12 ,  2H092KB25 ,  2H092MA08 ,  2H092MA27 ,  2H092NA22 ,  2H092NA27 ,  2H092NA29 ,  5F058BB04 ,  5F058BB07 ,  5F058BC08 ,  5F058BF07 ,  5F058BF23 ,  5F058BF30 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ07 ,  5F110AA06 ,  5F110AA13 ,  5F110AA16 ,  5F110AA19 ,  5F110BB02 ,  5F110CC02 ,  5F110EE32 ,  5F110EE45 ,  5F110EE50 ,  5F110FF02 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN23 ,  5F110NN35 ,  5F110NN40 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ25