半導体集積回路装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：梶原辰也
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP1996001901
公開番号（公開出願番号）：WO1998-001903
出願日： 1996年07月09日
公開日（公表日）： 1998年01月15日
要約：

【要約】ホトマスクに描画されたパターンが半導体ウエハに転写される半導体集積回路装置の製造方法に関し、特に、制御データや製造条件データおよび検査データ等のデータを各工程間において共通化するための技術に関する。ホトマスク製作工程でホトマスクは電子線描画装置により描画データに基づいて製作される。ホトマスク検査・修正工程でホトマスクが検査・修正される際に、ホトマスク製作工程で使用された描画データの座標系が使用される。露光工程でホトマスクのマスクパターンはウエハにステッパによりステップ・アンド・リピート露光される。この際、ステップ移動は描画データの座標系に基づいて実行される。露光されたウエハは現像されエッチングされて縮小パターンが繰り返されたウエハパターンを形成される。このウエハパターンは描画データの座標系により縮小パターンをステップ・アンド・リピートされた状態になっている。パターン付きウエハ検査工程でパターン付きウエハ検査装置によりウエハパターンが検査される際に、描画データの座標系が使用される。パターン付きウエハ検査工程で欠陥が発見された場合には、その欠陥を転写するのに使用されたホトマスクに対して再精密検査がホトマスク検査・修正工程で実施される。再検査に際して、パターン付きウエハ検査工程の検査結果データが使用される。この検査結果データは描画データの座標系で構成されているため、再検査のデータとして活用できる。

請求項（抜粋）：

ホトマスク検査・修正工程およびプローブ検査工程を含む複数の半導体ウエハ処理工程において使用される各種の半導体製造装置における製造条件データおよび/または制御データの入出力に、ホトマスク描画用データの座標系が実質的に共通の座標系として統一的に使用されることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。

IPC (7件)：

H01L 21/66 , H01L 21/68 , H01L 21/027 , H01L 21/30 , G03F 1/08 , G01N 21/88 , G01R 31/26

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