特許

J-GLOBAL ID：200903084820568189

超伝導体厚膜の燒結方法

発明者： 田中 三郎 ,  糸▲ざき▼ 秀夫
出願人/特許権者： 株式会社超伝導センサ研究所
代理人 (1件)： 福田 武通 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-035188
公開番号（公開出願番号）：特開平7-226540
出願日： 1994年02月09日
公開日（公表日）： 1995年08月22日
要約：

【要約】【目的】 筒体の内周面および/または外周面に均一な厚さの超伝導体厚膜を燒結させる。【構成】 筒体の内周面および/または外周面に超伝導体材料を燒結させて超伝導体厚膜を形成する超伝導体厚膜の燒結方法であって、円筒1を水平状態に支持し、円筒1の内周面にコーティングした超伝導体材料ペースト層2が半溶融状態の間中円筒1を回転させる。

請求項（抜粋）：

筒体の内周面および/または外周面に超伝導体材料を燒結させて超伝導体厚膜を形成する超伝導体厚膜の燒結方法であって、前記筒体を水平状態に支持し、少なくとも前記超伝導体材料が半溶融状態の間中前記筒体を回転させる、ことを特徴とする超伝導厚膜の燒結方法。

IPC (2件)：

H01L 39/00 ZAA ,  H05K 9/00 ZAA

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-192615
  
• 特開平2-107786
  
• 特開平1-270504