特許

J-GLOBAL ID：200903084822470640

希土類イオン・窒素添加酸化膜の製造方法及び光導波路の製造方法

発明者： 中沢 正隆 ,  井本 克之
出願人/特許権者： 日立電線株式会社 ,  日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 絹谷 信雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-272939
公開番号（公開出願番号）：特開平6-123813
出願日： 1992年10月12日
公開日（公表日）： 1994年05月06日
要約：

【要約】【目的】 高屈折率で透明度が良く、反りが少なく低損失で、高寸法精度且つ超小型で、低コストで製造でき、コア側面の荒れが少なく低損失な希土類イオン・窒素添加酸化膜の製造方法及び光導波路の製造方法を提供する。【構成】 基板1上にSiO2 の多孔質膜3を形成する工程と、この多孔質膜を希土類元素を含む溶液中に液浸してこの元素を上記多孔質膜中に所定濃度添加した後乾燥させる工程と、この多孔質膜をNH3 ガスを含む雰囲気下で加熱透明化する工程を有するようにした。

請求項（抜粋）：

基板上にSiO2 の多孔質膜を形成する工程と、該多孔質膜を希土類元素を含む溶液中に液浸して該元素を該多孔質膜中に所定濃度添加した後乾燥させる工程と、該多孔質膜をNH3 ガスを含む雰囲気下で加熱透明化する工程とを有することを特徴とする希土類イオン・窒素添加酸化膜の製造方法。

IPC (4件)：

G02B 6/12 ,  C03B 20/00 ,  H01S 3/07 ,  H01S 3/10

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-025083
  
• 特開平3-192206
  
• 特開昭63-249805
  
• 特開平3-109223