特許
J-GLOBAL ID：200903084822772352
周波数サーボ及び電力、電圧、電流又はdI/dtのコントロールを用いた高周波プラズマリアクタのための高周波同調方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-339248
公開番号（公開出願番号）：特開平10-241894
出願日： 1997年11月04日
公開日（公表日）： 1998年09月11日
要約：
【要約】【課題】 好適な高周波同調方法を提供する。【解決手段】 プロセスガス入口を有するリアクタチャンバ、被処理体支持具、チャンバの内部の一部に面するRF信号アプリケータ、および制御可能なRF周波数とRF信号アプリケータの入口に結合されたRF信号出力とを有するRF信号発生器を含んだRFプラズマリアクタにおいて、本発明は、RF信号発生器またはRF信号アプリケータでRFパラメタを検知し、次いでパラメタが最適になるようにRF信号発生器の周波数を調整することにより、RF信号発生器をプラズマ負荷RF信号アプリケータに同調させる。本発明はさらに、同じRFパラメタまたは別のRFパラメタの値を最適化することにより、RF信号発生器出力の大きさ(電力、電流または電圧)を制御する。このリアクタは、RF信号発生器とRF信号アプリケータとの間に固定同調回路を含むことが望ましい。
請求項（抜粋）：
プロセスガス入口を有するリアクタチャンバと、被処理体支持具と、前記チャンバの内部の一定部分に面するRF信号アプリケータと、制御可能なRF周波数および前記RF信号アプリケータの入力に結合されたRF信号出力を有するRF信号発生器と、を備えるRFプラズマリアクタ中で、(a)前記発生器の出力と(b)前記信号アプリケータとの間、又はどちらかの付近で、前記リアクタ内のプラズマイオン密度を制御するパラメタを測定するステップと、前記パラメタが特定の周波数範囲内で最大値または最小値のいずれか一方に少なくともほぼ最適化されるように、前記周波数範囲内で前記RF信号発生器の前記周波数を調整するステップと、を備える同調方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H05H 1/46 C
, H01L 21/205
