特許

J-GLOBAL ID：200903084823505064

窒化物半導体レーザ素子とその光ピックアップ装置

発明者： 伊藤 茂稔 ,  津田 有三
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 佐々木 晴康 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-126908
公開番号（公開出願番号）：特開2001-308460
出願日： 2000年04月27日
公開日（公表日）： 2001年11月02日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 GaN基板上に結晶成長した窒化物半導体レーザについてFIELO法(The facet-initiated epitaxial lateral overgrowth)によって作製されたGaN基板は、従来のサファイア基板等に比べて結晶欠陥密度の少ない基板であったにもかかわらず、発振閾値電流値は高く、144mA(閾値電流密度は10.9kA/cm2)であった。上記要因は、リッジストライプ部の幅Wとリッジストライプ残し膜厚dが適正化されていなかったためであることがわかった。【解決手段】 本発明は、窒化物半導体基板上に成長した窒化物半導体レーザ素子において、前述のリッジストライプ幅Wと残し膜厚dを適正化することによって、レーザ発振閾値電流値を低減し、レーザの発振寿命特性を改善する。

請求項（抜粋）：

窒化物半導体基板上に成長した窒化物半導体レーザダイオードにおいて、前記窒化物半導体レーザダイオードはn型層、発光層、p型層の順に積層されていて、前記p型層の一部をストライプ形状に加工し、前記ストライプの幅が1.9μm以上3.0μm以下であり、かつ前記発光層とp型層との界面からストライプの底部までの距離が0μm以上0.2μm以下であることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。

IPC (3件)：

H01S 5/22 ,  G11B 7/125 ,  H01S 5/323

FI (3件)：

H01S 5/22 ,  G11B 7/125 A ,  H01S 5/323

Fターム (13件)：

5D119FA05 ,  5D119FA18 ,  5F073AA13 ,  5F073AA74 ,  5F073BA04 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073CB07 ,  5F073DA05 ,  5F073EA23 ,  5F073EA28 ,  5F073GA02 ,  5F073GA12