特許
J-GLOBAL ID：200903084834785204
半導体製造装置及び半導体製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-058489
公開番号（公開出願番号）：特開平7-307301
出願日： 1995年03月17日
公開日（公表日）： 1995年11月21日
要約：
【要約】【目的】 LSI製造工程におけるプロセスの高精度化を実現するための装置を提供する。【構成】 半導体製造装置内のプロセスパラメータをモニタするためにガス分析装置23、基体温度を測定する光導波路7および赤外線検知器8等を設け、これらによるモニタ結果をプロセスパラメータにフィードバックしながら製造を行う。また、モニタ結果を処理し堆積膜厚等についての情報を得、これを基に複数のプロセスの管理を行う。【効果】 安定したプロセスを提供できることで、CVD堆積反応を始めとする諸工程における検査工程、検査頻度の低減を実現し、同時に歩留りの向上に寄与するとともに、半導体製造装置の稼働率向上にも寄与する。
請求項（抜粋）：
真空槽と反応槽とを有し、真空槽内に収納した基体を真空下で反応槽に移動し、反応槽内に反応ガスを供給して基体表面に薄膜を形成する半導体製造装置において、反応槽から排出されるCVD反応の生成ガス濃度を検出する分析手段と、この分析手段によって分析された反応ガス濃度データを逐次処理し、反応生成ガス濃度の積分値より全反応量を算出して、反応槽内で現在堆積中の反応生成物の量を検出する演算手段と、この演算手段の演算結果によって反応生成物があらかじめ設定した目標堆積量に達したときに成膜を停止させる成膜停止制御手段と、を備えることを特徴とする半導体製造装置。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, C30B 25/16
, H01L 21/31
