特許

J-GLOBAL ID：200903084836737908

窒化ケイ素質粉末、窒化ケイ素質粉末の製造方法、窒化ケイ素質焼結体、窒化ケイ素質焼結体の製造方法および回路基板

発明者： 今村 寿之 ,  祖父江 昌久 ,  濱吉 繁幸
出願人/特許権者： 日立金属株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-284957
公開番号（公開出願番号）：特開2002-097005
出願日： 2000年09月20日
公開日（公表日）： 2002年04月02日
要約：

【要約】【課題】 機械的強度に優れ、熱伝導の方向に異方性を持たずに従来に比べて熱伝導率を高めた高熱伝導型窒化ケイ素質焼結体を提供する。【解決手段】 SiO2換算として0.02wt%以上、2wt%未満の酸素を含み、比表面積が0.5m2/g以上である窒化ケイ素質粉末原料を窒素あるいは窒素/水素の非酸性雰囲気下にて、温度1400°C以上で熱処理することを特徴とする窒化ケイ素質粉末の製造方法。

請求項（抜粋）：

SiO2換算として0.02wt%以上、2wt%未満の酸素を含み、比表面積が0.5m2/g以上である窒化ケイ素質粉末原料を窒素あるいは窒素/水素の非酸性雰囲気下にて、温度1400°C以上で熱処理することを特徴とする窒化ケイ素質粉末の製造方法。

IPC (2件)：

C01B 21/068 ,  C04B 35/626

FI (2件)：

C01B 21/068 R ,  C04B 35/58 102 R

Fターム (21件)：

4G001BA06 ,  4G001BA08 ,  4G001BA09 ,  4G001BA10 ,  4G001BA11 ,  4G001BA32 ,  4G001BA71 ,  4G001BA73 ,  4G001BB06 ,  4G001BB08 ,  4G001BB09 ,  4G001BB10 ,  4G001BB11 ,  4G001BB32 ,  4G001BB71 ,  4G001BB73 ,  4G001BC52 ,  4G001BC54 ,  4G001BD03 ,  4G001BD14 ,  4G001BE33

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平3-177307
  
• 高熱伝導率窒化ケイ素質焼結体およびその製造方法ならびに窒化ケイ素質焼結体製絶縁基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-186003   出願人：日産自動車株式会社