特許
J-GLOBAL ID:200903084842746986

ポジ型フオトレジストパターンの形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 萩野 平 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-229236
公開番号(公開出願番号):特開平9-073168
出願日: 1995年09月06日
公開日(公表日): 1997年03月18日
要約:
【要約】【課題】 現像ラチチュードが広く、0.5μmあるいはそれ以下の線幅から成る超微細パターンを安定して、しかも高感度かつ高解像度で得られる、超微細加工用ポジ型フオトレジストパターン形成方法を提供できる。【解決手段】 1,2-ナフトキノン-2-ジアジド-6-スルホン酸エステル化合物、アルカリ可溶性樹脂、分子量1000以下のフェノール化合物を含有する感光性組成物を基板上に塗布し、248nm光の照射によりパターン状に露光し、アルカリ現像液で現像するポジ型フオトレジストパターンの形成方法。
請求項(抜粋):
1,2-ナフトキノン-2-ジアジド-6-スルホン酸エステル化合物、アルカリ可溶性樹脂、及び分子量1000以下のフェノール化合物を含有する感光性組成物を基板上に塗布し、248nm光の照射によりパターン状に露光し、アルカリ現像液で現像することを特徴とするポジ型フオトレジストパターンの形成方法。
IPC (5件):
G03F 7/022 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/20 505 ,  G03F 7/32 ,  H01L 21/027
FI (5件):
G03F 7/022 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/20 505 ,  G03F 7/32 ,  H01L 21/30 569 F

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