特許

J-GLOBAL ID：200903084844668257

多次元半導体加速度センサ

発明者： 伊藤 達也 ,  程 敏林
出願人/特許権者： 株式会社フジクラ
代理人 (1件)： 志賀 正武
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-074464
公開番号（公開出願番号）：特開平5-281249
出願日： 1992年03月30日
公開日（公表日）： 1993年10月29日
要約：

【要約】【構成】 p型半導体基板31上に形成されたn型エピタキシャル層34において、ピエゾ抵抗層32を有する加速度センサ部29と周辺回路部30とが設けられている。また、n型エピタキシャル層34において、加速度センサ部29や周辺回路部30はp型半導体基板31に連続するp型半導体分離壁35によって囲まれており、そのp型半導体分離壁35によって囲まれる領域はn型アイランド36を形成している。【効果】 構成部品数の削減、装置の低コスト化、小型化および信頼性の向上を図ることができ、また、使用用途の拡大をすることができる。さらに、加速度センサの動作が安定になる。

請求項（抜粋）：

作用部、加とう部、固定部が形成されるとともに、その表面に複数個のピエゾ抵抗層が形成された半導体基板と、前記作用部下部に取り付けられた重錘体と、前記固定部下部に取り付けられた台座とを有する多次元半導体加速度センサにおいて、前記半導体基板は、その表面にn型エピタキシャル層が形成されたp型半導体基板であって、前記n型エピタキシャル層上に、前記ピエゾ抵抗層およびこの多次元半導体加速度センサの特性を調整するとともに、所定の信号を出力させるための周辺回路を形成したことを特徴とする多次元半導体加速度センサ。

IPC (2件)：

G01P 15/12 ,  H01L 29/84