特許

J-GLOBAL ID：200903084845918834

半導体発光装置及びその製造方法

発明者： 岩本 隆
出願人/特許権者： 日本ビクター株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-315808
公開番号（公開出願番号）：特開平7-147429
出願日： 1993年11月24日
公開日（公表日）： 1995年06月06日
要約：

【要約】【目的】 高効率、高出力の半導体発光装置及び生産性のよいその製造方法を提供する。【構成】 基板1に直径40μm程度の半球状の穴2を形成し(a)、その上からp-クラッド層3、p-活性層4、n-クラッド層5を順次積層してダブルヘテロ接合を形成する(b)。続いて、基板1を選択的にエッチングすると、表面に半球状の凸部(光出力窓6)が複数形成されたp-クラッド層3ができる(c)。次に、Znをp-クラッド層3表面から一定深さまで拡散して拡散層8及び非拡散領域の発光部7を形成する(d)。続いて、p-クラッド層3表面の平坦な部分に電極9を、又n-クラッド層5表面に電極10を形成する(e)。

請求項（抜粋）：

pn接合面を形成するエピタキシャル層のpn接合面に垂直な方向から光を取り出す面発光型半導体発光装置において、前記エピタキシャル層表面に球面凸形状の複数の光出力窓を形成し、この夫々の球面の中心近傍にこの球面より小さい領域の発光部を形成し、前記エピタキシャル層表面の前記光出力窓以外の部分と、前記エピタキシャル層裏面に夫々電極を形成したことを特徴とする半導体発光装置。