特許

J-GLOBAL ID：200903084854819482

超電導素子

発明者： 池川 純夫 ,  石塚 芳樹 ,  三浦 忠男 ,  安藤 健
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 須山 佐一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-261516
公開番号（公開出願番号）：特開平5-067815
出願日： 1991年10月09日
公開日（公表日）： 1993年03月19日
要約：

【要約】【目的】 良好なジョセフソン特性が再現性よく得られると共に、そのような特性を有するジョセフソン接合を、基板上の任意の場所に、積層型でかつ単純な構成で実現することを可能にした超電導素子を提供する。【構成】 基板11上に、結晶のc軸が一定方向に揃った第1の超電導体層12を設ける。この第1の超電導体層12上に、結晶のc軸が第1の超電導体層12とは異なる方向に揃った第2の超電導体層13を積層形成する。超電導体層12、13としては、例えばc軸配向や斜め配向させた銅系酸化物超電導体膜が用いられる。第1の超電導体層12と第2の超電導体層13との界面14に、これらの結晶のc軸がなす角度Ψに応じた粒界ジョセフソン接合が形成される。

請求項（抜粋）：

基板上に設けられ、結晶のc軸が一定方向に揃った第1の超電導体層と、この第1の超電導体層上に積層形成され、結晶のc軸が該第1の超電導体層とは異なる方向に揃った第2の超電導体層とを具備することを特徴とする超電導素子。