特許

J-GLOBAL ID：200903084857037299

強誘電体薄膜素子の作製方法

発明者： 大橋 幸司
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 上柳 雅誉 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-085754
公開番号（公開出願番号）：特開2002-289795
出願日： 2001年03月23日
公開日（公表日）： 2002年10月04日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】電気特性をそこなわず、回復アニール時に上部電極又は下部電極からのヒロック発生を抑える強誘電体薄膜素子の作製方法を提供する。【解決手段】回復アニール処理工程を、不活性ガス雰囲気中で熱処理するステップと酸素雰囲気中で熱処理するステップを含む、2以上のステップから構成する。回復アニール工程中における不活性ガスおよび酸素の圧力は1気圧未満であるのが好ましく、また効果とコスト上から不活性ガスとしては窒素を用いるのが好ましい。

請求項（抜粋）：

(I)基板上に下部電極を形成する工程、(II)前記下部電極上に強誘電体薄膜形成用塗布液を塗布後、熱処理により強誘電体薄膜を形成する工程、(III)前記強誘電体薄膜上に上部電極を形成する工程、(IV)前記(I)〜(III)の工程により形成された強誘電体薄膜素子をエッチングにより加工する工程、および(V)前記(I)〜(IV)の工程後に熱処理により前記強誘電体薄膜の特性を回復させる工程、を含む強誘電体薄膜素子の作製方法において、前記(V)の工程が不活性ガス雰囲気中で熱処理を行う小工程および酸素雰囲気中で熱処理を行う小工程を含むことを特徴とする、強誘電体薄膜素子の作製方法。

IPC (3件)：

H01L 27/105 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (2件)：

H01L 27/10 444 C ,  H01L 27/04 C

Fターム (18件)：

5F038AC05 ,  5F038AC15 ,  5F038AC18 ,  5F038DF02 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ17 ,  5F038EZ20 ,  5F083FR01 ,  5F083JA13 ,  5F083JA14 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA42 ,  5F083PR12 ,  5F083PR15 ,  5F083PR16 ,  5F083PR33 ,  5F083PR34