特許

J-GLOBAL ID：200903084857462062

レジストパターン形成方法

発明者： 遠藤 裕之
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 清水 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-322523
公開番号（公開出願番号）：特開平10-163093
出願日： 1996年12月03日
公開日（公表日）： 1998年06月19日
要約：

【要約】【課題】 解像限界をこえる微細パターンを形成することができるレジストパターン形成方法を提供する。【解決手段】 レジストパターン形成方法において、被加工基板11上にポジ型化学増幅レジストパターン12を形成する工程と、前記ポジ型化学増幅レジストパターン12の未露光部に反応触媒を生成する工程と、ネガ型化学増幅レジスト15の不溶化層16を形成する工程とを施すようにしたものである。

請求項（抜粋）：

(a)被加工基板上にポジ型化学増幅レジストパターンを形成する工程と、(b)前記ポジ型化学増幅レジストパターンの未露光部に反応触媒を生成する工程と、(c)ネガ型化学増幅レジストの不溶化層を形成する工程とを施すことを特徴とするレジストパターン形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/038 601 ,  G03F 7/039 601 ,  G03F 7/40 501

FI (5件)：

H01L 21/30 569 F ,  G03F 7/038 601 ,  G03F 7/039 601 ,  G03F 7/40 501 ,  H01L 21/30 502 A