半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：柏谷昭司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-052668
公開番号（公開出願番号）：特開平10-256391
出願日： 1997年03月07日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：

【要約】【課題】半導体装置の製造方法に関し、半導体装置に設ける酸化膜の厚さを、一度の酸化工程のみで局所的に任意に制御する。【解決手段】半導体基板1上に塩素を含んだ酸化膜4,5を設けたのち、その酸化膜4,5上にフッ素濃度が局所的に異なる導電体膜8を設け、熱処理を行うことによって酸化膜4,5の膜厚を局所的に制御する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に塩素を含んだ酸化膜を設けたのち、前記酸化膜上にフッ素濃度が局所的に異なる導電体膜を設け、熱処理を行うことによって前記酸化膜の膜厚を局所的に制御することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/8234 , H01L 27/088 , H01L 29/78

FI (2件)：

H01L 27/08 102 C , H01L 29/78 301 G

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